ZXMN3A06DN8TA
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | ZXMN3A06DN8TA |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.14 |
10+ | $1.022 |
100+ | $0.797 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 9A, 10V |
Leistung - max | 1.8W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 796pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.9A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | ZXMN3 |
ZXMN3A06DN8TA Einzelheiten PDF [English] | ZXMN3A06DN8TA PDF - EN.pdf |
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ZXMN3A06DN8TADiodes Incorporated |
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Zielpreis (USD)
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